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功能
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描述
:


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商品特色:



規格&認證:



  • ACEA A1/B1(12)


  • VOLVO VCC RBSO-2AE












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功率元件(Power Device)是讓電能傳輸轉換的關鍵零組件,發展歷史悠久,其延伸應用的產品更是無所不在。2017年以來,受惠原物料漲價、終端市場需求回暖等因素,除了矽晶圓(Silicon Wafer)、積層陶瓷電容器(MLCC)、記憶體(NAND Flash/DRAM)出現供需緊俏的現象以外,金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)、二極體(Diode)等功率元件也出現了難得一見缺貨的現象。



首先,需求端方面,由於電動汽車(EV)/混合動力汽車(HEV)高速發展、汽車功能電子化的趨勢日益轉強、手機快充、行動產品電源管理等新應用需求浮現,功率元件作為提高能源轉換效率的關鍵部件,在當中發揮重要的作用,因此,這些高端新應用優先搶走了不少產能。供給方面,由於面板、桌電等終端需求強勁,加上指紋辨識、影像感測器、電源管理晶片PMIC應用增溫,IC設計廠投片更趨積極,使得全球8吋晶圓產能吃緊,MOSFET廠上游供需緊俏間接引起本身供給成長放緩。而功率MOSFET市場規模為60億美元左右,只有營收穩定在10億元以上才有可能通過自建8吋產線產生盈利,因此除了英飛凌等歐美大廠,台灣與大陸大部分的功率MOSFET元件Fabless都在Foundry 8吋線投產。隨著中小功率的MOSFET晶片早已產業化,諸如德州儀器、瑞薩、英飛凌、快捷半導體、威世等國際IDM廠大多將產能優先讓給毛利率較高的新產品,甚至開發碳化矽(SiC)方案走向大電流、小體積高端產品,相繼退出中低端產品線,導致成熟的功率元件反而在2017年出現供不應求的現象。萬國半導體、威世等大廠皆曾點名MOSFET產能吃緊的看法。從供應鏈的角度來看,2017年一系列缺貨的零組件當中,除了記憶體當中的DRAM可以藉由更先進的製程來增加產出外,另外NOR Flash、被動元件、矽晶圓以及MOSFET恐怕只看得到謹慎的產能擴充計畫,原因就在於過去多次的景氣循環下來,業者大多已認清在景氣高峰時積極擴產,最後都將帶來不好的後果,因此,儘管今年面臨下游客戶缺貨,上游供應商在產能的擴充上相對地保守,大多都暫以提升良率以及去瓶頸的方式來擴充產能。從下游客戶的角度來看,對於逾10年都不曾缺貨的成熟型零組件,客戶已習慣砍價的遊戲規則,即使當今全球MOSFET晶片交期最長已經拉長至超過20周,客戶仍難以接受漲價的想法。因此,國際晶片大廠遲遲沒有明顯漲價的動作。雖然漲價的情形較為緩慢,但功率元件需求的增加仍使得台灣相關供應鏈雨露均霑,國際半導體大廠如英飛凌釋出委外代工比重若持續提高,將挹注晶圓代工廠潛在接單量。此外,上游磊晶廠2017年以來產能利用率逐季提升已有所驗證,二極體廠營運成長動能亦可持續延伸至2018年,MOSFET廠也都感受到產能利用率提升的狀況,甚至再往下游的封測廠皆看到較往年樂觀的營運展望。長期來看,由於功率元件整體的供給量增速度未能追上終端市場需求成長力道,相信部分產品報價最終將出現上漲的契機。(工商時報)

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